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三安集成首次登陸慕尼黑電子展,化合物半導體代工業務更加多元

摘要:三安集成于2020年7月3日首次亮相主題為“融合創新 智引未來”的慕尼黑上海電子展,三安集成秉承“專注于化合物半導體技術創新”的理念,提供可持續能源高效電源轉換、新能源汽車驅動與充電、數據中心與工業電源相關的碳化硅/氮化鎵第三代功率半導體器件,以及自動駕駛雷達和面部3D感測所需的關鍵光技術芯片代工業務。

  ICC訊  全球化合物半導體代工平臺——三安集成于2020年7月3日首次亮相主題為“融合創新 智引未來”的慕尼黑上海電子展,三安集成秉承“專注于化合物半導體技術創新”的理念,提供可持續能源高效電源轉換、新能源汽車驅動與充電、數據中心與工業電源相關的碳化硅/氮化鎵第三代功率半導體器件,以及自動駕駛雷達和面部3D感測所需的關鍵光技術芯片代工業務。

  

  隨著汽車電動化、無人駕駛和5G高速網絡應用市場的快速發展,對功率半導體器件、激光光源和光探測器件的需求也在日益增長。碳化硅/氮化鎵并稱第三代半導體雙雄,憑借其熱導率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數低等特點,能更好地適應高頻、大功率、耐高溫、抗輻照等嚴苛的使用環境。但目前因為材料制備難度大、成本高使得第三代半導體還處在爆發式增長的前期。

  三安集成是化合物半導體研發、制造和服務專業平臺,通過產業鏈垂直整合,掌握化合物半導體發展的關鍵點:設計、材料、制程和檢測。從襯底制造,到大規模的碳化硅/氮化鎵/砷化鎵外延生長MOCVD機臺,先進的制程開發和量產能力,在線缺陷檢測和性能測試,封裝實驗室,以及全面的可靠性分析實驗室,都是實現大規模、高質量代工的有力保障;同時,為客戶提供真正的、高成本效益的 “一站式解決方案”。

  第三代功率半導體:碳化硅肖特基二極管和氮化鎵E-HEMT代工業務

  在功率半導體展示區展出的650V/1200V碳化硅肖特基勢壘二極管,采用混合PiN肖特基二極管(MPS)設計,能提供更好的可靠性和魯棒性。比肩業界領先水平的“低正向壓降”特性,大幅減少導通損耗,幫助實現系統級別的效率提升和功率密度提升,支持高壓DC/DC和多種PFC應用場景的穩定運行。同時,三安集成已進行了碳化“硅金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)”的工程樣品研制,預計于2020年第四季度,可為客戶推出工業級1200V DMOS器件。

  650V氮化鎵增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)芯片制造的可靠性已全面符合JEDEC標準,采用常關型器件設計,具備低比導通電阻RON ~350mΩ?mm和優良的品質因數RON·QG~300mΩ·nC。藉由PDK、E-Foundry和MPW服務,可讓客戶在量產前可充分驗證設計。三安集成為客戶提供從前期設計支持,到完善的后工序——晶圓減薄、背面金屬以及切割和封測?,F場展示了一款基于三安集成氮化鎵E-HEMT芯片的65W氮化鎵快充適配器設計驗證樣品,體現了三安集成成熟的代工能力。

  光技術芯片:激光光源(Source Laser Diodes)和光探測(Photodiodes)器件

  從1.25G、10G到25G,從850、940到1310,三安集成提供多種速率、多種波長的激光光源和光探測芯片代工服務,包括高功率VCSEL、高速率VCSEL、DFB、EEL,和光探測芯片MPD、APD、PD、SPD。

  針對數據中心AOC、光模塊應用,三安集成提供基于成熟的砷化鎵技術平臺的高速25G VCSEL、DFB芯片組及陣列,并備有多波的CWDM綜合方案,搭配三安集成25G 850nm PD或1310nm PD芯片,為客戶提供全套的低功耗、極具成本效益的25G收發芯片組合。同時,在3D感測領域,三安集成更以技術專業、服務高效、產能充沛的VCSEL代工服務平臺服務廣大客戶。

  三安集成把質量視為企業生命線,以客戶需求為中心,為客戶創造價值的同時守護客戶的知識產權。企業已通過ISO9001國際質量管理體系認證、IATF16949汽車行業質量管理體系認證以及ISO27001信息安全管理認證;身為JEDEC JC-70寬禁帶功率半導體標準委員會成員,積極投身國際行業標準制定。三安集成愿將其化合物代工大平臺保持開放,迎接多樣化的業務合作模式,和客戶一同“融合創新 ‘芯’引未來”。

 客戶及媒體聯系:

  陳林青,[email protected],0592-6300659

  顏子昂,[email protected]

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