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CUMEC公司超厚氧化膜生長工藝技術取得突破

摘要:為滿足SIN波導開發需求,今年5月開始CUMEC公司組織開展了“微米級超厚高質量氧化膜生長工藝”核心技術的自主研發攻關,并于近日取得重大突破。

  ICC訊 為滿足SIN波導開發需求,今年5月開始CUMEC公司組織開展了“微米級超厚高質量氧化膜生長工藝”核心技術的自主研發攻關,并于近日取得重大突破。

  在半導體制造業,微米級超厚高質量氧化膜生長工藝是一個高難度的非常規工藝。對于CUMEC公司新建的8吋工藝平臺來說,國內沒有類似的工藝可供參考,更得不到外界的技術支持,一切都需要從零開始。新工藝的研發是艱難的,需要進行大量的單項工藝試驗,工藝開發從來都不是一帆風順的,CUMEC工程師們廢寢忘食,或查詢文獻資料,或向資深工程師請教,或多模組配合開展頭腦風暴,大家心往一處想、智往一處謀、勁往一處使,經過近60個日夜的奮戰,微米級的高質量氧化膜的首批樣片終于制備完成,標志著CUMEC公司在特殊原料替代進口、降低成本的道路上邁出了關鍵的一步。

  在CUMEC公司發展的道路上,不會一帆風順,還會遇到很多的新問題、新挑戰,但CUMEC人相信機遇與挑戰并存,抓住機遇,克服困難、迎接挑戰,CUMEC的發展道路定會越走越寬。

內容來自:聯合微電子中心CUMEC
本文地址:http://www.ljfrno.tw//Site/CN/News/2020/07/07/20200707133352615418.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: CUMEC|半導體
文章標題:CUMEC公司超厚氧化膜生長工藝技術取得突破
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